FT-CZ1806Se

              6英寸半導體級單晶爐

              拉晶過程全程自動化

              在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

              用直拉法生長無位錯單晶的設備。

               

              性能優勢

              設備主體結構優化,提高了整機穩定性。

              具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。

              采用新型隔離閥。

              液面高度監控系統。

              高精度傳動機構。

              雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。

               

              如需獲取6寸半導體級單晶爐具體數據,請向漢虹銷售工程師咨詢溝通。

                

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