FT-CZ1200Si

              硅部件級單晶爐

              拉晶過程全程自動化

              在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

              用直拉法生長無位錯單晶的設備。

               

              性能優勢

               大直徑設計結構:匹配大直徑單晶硅棒生長所需空間。

              可采用連續加料裝置。

              采用超低碳不銹鋼材料,結構穩定。

              8英寸硅部件級單晶爐
              型號  FT-CZ1200Si
              場所 周圍溫度 15~30℃
              周圍濕度 ≤65%(無結露,腐蝕氣體)
              潔凈度 一般環境水平
              噪音 ≤75db
              地基 3000kg/㎡以上
              電源 額定電壓 3P 380VAC±10%  50/60Hz
              額定電容 320kVA
              額定流量 500A
              冷卻水 流量范圍 350~400L/min
              供給壓力 0.3~0.4MPa
              重量 設備高度 <8250mm                                                                            △    
              設備重量 約10T

               

               

              △ 項數據視上爐筒高度而定,本設備數據不含磁場。

              全國熱線

              021-36162928

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